半導体プロセスコントロール

Using diode lasers for semiconductor inspection and process control

トプティカ社レーザの半導体分野における適用範囲：

  • 薄膜分析は偏光された光をエリプソメトリに用いることによって達成されます。
  • 自由度の高いマイクロリソグラフィーには青色およびUV波長領域のユニークで操作しやすいシングルモード半導体レーザが適用可能です。
  • 酸素または水素のようなガスは特徴的な分子吸収周波数にわたって高速に波長スキャンが可能な近赤外チューナブル半導体レーザを使用することによって密閉された環境において遠隔で検出することが可能です。
  • パーティクル(コンタミ)粒子は、輝度の大きい半導体レーザビームにより生成される散乱光を分析することにより検出が可能です。
  • ステッパの露光マスクおよびスキャンステージは単一周波数半導体レーザを利用した光干渉計を用いて究極の精度で位置合わせすることができます。
  • 単一周波数で高いコヒーレンス(可干渉性)を兼ね備えた紫外域CW半導体レーザを使用することにより高価な露光用光学素子を高分解能に検査することが可能です。