193 nm sub-mW
理化学向け CW 193 nm 半導体レーザーシステム
- 193 nmにおいて出力< 1 mW CW, 単一周波数動作
- 短時間での線幅 < 1 MHz, コヒーレンス長 > 150 m
- パッシブ周波数安定性: < 400 MHz/K
- アクティブ周波数安定性: MHz レベルでの安定化が可能
- 精密な調整を行うことで最大 5 nm の波長チューニングが可能
トプティカ社では数々のCW深紫外レーザー(例：205nm以下の波長レンジにおいて)の実証実験を理化学向けプロトタイプおよび各種の論文を通じて行ってきました。深紫外波長を得るための基本的なテクノロジーとして、光増幅を行った外部共振器型半導体レーザーおよび2つの直列した第二高調波発生キャビティを採用しています (TA-FHG pro).
深紫外波長を効率よく実現するためにユニークな非線形結晶技術を用いています。理化学向けプロトタイプ機において光学調整のためのオペレーション時間を大幅に低減し一般のお客様への販売を可能にしました。実際に数台のシステムがフィールドでの稼働を順調に始め素晴らしい成果をもたらしています。これらのレーザーシステムは理化学レベルの環境下で使用することが可能で定期的な調整作業を必要とします。より厳しい環境、その他条件で使用できるシステムも開発中で更なる高出力モデルの検討も進んでいます。
製品の詳細につきましてこちらから お気軽にご連絡ください。 お客様の個別のご要望、スケジュールを元に綿密なご提案をお約束いたします。
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Literature
- 技術論文: M. Scholz et al., 15 mW of CW emission at 193 nm using the crystal KBBF, CLEO (2014)
- 技術論文: M. Scholz et al., CW emission at 193 nm using an all solid-state laser source, Proc. SPIE 8964 (2014)
- 技術記事: M. Scholz et al., A bright continuous-wave laser source at 193 nm, Appl. Phys. Lett. 103 (2013)
- 技術記事: M. Scholz et al., 1.3-mW tunable and narrow-band continuous-wave light source at 191 nm, Optics Express 20 (2012)
- 技術記事: R. Kirner et al., Mask-aligner lithography using a continuous-wave diode laser frequency-quadrupled to 193 nm, Optics Express (2018)
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